MOSFET STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 103 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 365-175
- Nº ref. fabric.:
- STL100N4LF8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 365-175
- Nº ref. fabric.:
- STL100N4LF8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 103A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.85mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 103A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.85mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un STripFET F8 avanzado que consigue frecuencias de conmutación más altas que las tecnologías anteriores, gracias a las bajas capacitancias del dispositivo que minimizan los parámetros dinámicos y las pérdidas de conmutación. Esto permite a los diseñadores utilizar componentes capacitivos y magnéticos más pequeños en soluciones más compactas y rentables, al tiempo que aumenta la densidad de potencia de la aplicación final.
Carga de puerta optimizada para velocidades de conmutación más rápidas
Mayor inmunidad al encendido espurio
Menor RDS(on) para una mayor eficiencia del sistema
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