MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL260N4LF7, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

15,36 €

(exc. IVA)

18,585 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 18 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 203,072 €15,36 €
25 - 452,92 €14,60 €
50 - 1202,626 €13,13 €
125 - 2452,494 €12,47 €
250 +2,428 €12,14 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-4230
Nº ref. fabric.:
STL260N4LF7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STL260N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6mm

Altura

1mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET STMicroelectronics de potencia de canal N utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta Trench mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Entre las RDS(on) más bajas del mercado

Excelente FOM (factor de mérito)

Relación CRSs/CISS baja para inmunidad EMI

Alta resistencia a avalancha

Enlaces relacionados