Transistor MOSFET STMicroelectronics SGT65R65AL, VDSS 750 V, ID 25 A, PowerFLAT 5x6 HV de 4 pines

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Código RS:
275-1317
Nº ref. fabric.:
SGT65R65AL
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

750 V

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5x6 HV

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

GaN

COO (País de Origen):
CN
El transistor powerGaN de modo electrónico de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero

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