STMicroelectronics, Tipo N-Canal SGT65R65AL, VDSS 750 V, ID 25 A, PowerFLAT (5 x 6) HV, Mejora de 4 pines

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Código RS:
275-1317
Nº ref. fabric.:
SGT65R65AL
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PowerFLAT (5 x 6) HV

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

COO (País de Origen):
CN
El transistor powerGaN de modo electrónico de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

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