MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines

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Código RS:
213-3941
Nº ref. fabric.:
SCTL35N65G2V
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

417W

Tensión directa Vf

3.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8.1mm

Anchura

8.1 mm

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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