MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines

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Código RS:
213-3941
Nº ref. fabric.:
SCTL35N65G2V
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

417W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.95mm

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.1 mm

Estándar de automoción

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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