MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

Código RS:: 648-109
Nº ref. fabric.:: ST8L65N044M9
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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Código RS:: 648-109
Nº ref. fabric.:: ST8L65N044M9
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET sencillos
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	ST8L65
	Encapsulado	PowerFLAT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	44mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	110nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.6V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	166W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	8.10 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	8.10mm
	Altura	0.95mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET sencillos
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie ST8L65
	Encapsulado PowerFLAT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.6V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 166W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 8.10 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 8.10mm
	Altura 0.95mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - ST8L65N044M9

COO (País de Origen):: CN

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. Dispone de uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superjunción de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.

Excelente rendimiento de conmutación

Fácil de conducir

100 % a prueba de avalanchas

Excelente rendimiento de conmutación

Encapsulado PowerFLAT 8x8 HV

Conforme a RoHS

MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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