MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L60N065DM9, VDSS 600 V, ID 39 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- Código RS:
- 648-108
- Nº ref. fabric.:
- ST8L60N065DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 648-108
- Nº ref. fabric.:
- ST8L60N065DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L60 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 202W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8.10 mm | |
| Longitud | 8.10mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie ST8L60 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 202W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8.10 mm | ||
Longitud 8.10mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9, basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El diodo de recuperación rápida con carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo (trr) y RDS(on) hace que este MOSFET de potencia de superjunción de conmutación rápida se adapte a las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y a los convertidores de cambio de fase ZVS.
Carga de puerta baja
Baja capacitancia y resistencia de entrada
100 % a prueba de avalanchas
Excelente rendimiento de conmutación
Encapsulado PowerFLAT 8x8 HV
Conforme a RoHS
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