MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2.640,00 €

(exc. IVA)

3.180,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,88 €2.640,00 €

*precio indicativo

Código RS:
192-4656
Nº ref. fabric.:
STL10N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

660mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Longitud

6mm

Altura

0.95mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Reducción de las pérdidas de conmutación

RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior

Resistencia de entrada de punto de inyección baja

Protección Zener

Enlaces relacionados

Recently viewed