Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

Código RS:: 192-4899
Nº ref. fabric.:: STL45N60DM6
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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Código RS:: 192-4899
Nº ref. fabric.:: STL45N60DM6
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerFLAT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	110mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Disipación de potencia máxima Pd	160W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	44nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	8.1 mm
	Altura	0.9mm
	Longitud	8.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerFLAT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Disipación de potencia máxima Pd 160W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 8.1 mm
	Altura 0.9mm
	Longitud 8.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior

Baja carga de compuerta, capacitancia de entrada y resistencia

Muy alta resistencia dv/dt

Protección Zener

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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