Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Código RS:: 192-4825
Nº ref. fabric.:: STL10N60M6
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,38 €

(exc. IVA)

12,56 €

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 20	2,076 €	10,38 €
25 - 45	1,948 €	9,74 €
50 - 120	1,85 €	9,25 €
125 - 245	1,748 €	8,74 €
250 +	1,658 €	8,29 €

*precio indicativo

Código RS:: 192-4825
Nº ref. fabric.:: STL10N60M6
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerFLAT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	660mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.8nC
	Tensión directa Vf	1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd	48W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.95mm
	Anchura	5 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerFLAT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 660mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC
	Tensión directa Vf 1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd 48W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.95mm
	Anchura 5 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Reducción de las pérdidas de conmutación

RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior

Resistencia de entrada de punto de inyección baja

Protección Zener

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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