MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 192-4825
- Nº ref. fabric.:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,40 €
(exc. IVA)
13,80 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,28 € | 11,40 € |
| 50 - 245 | 1,856 € | 9,28 € |
| 250 - 495 | 1,414 € | 7,07 € |
| 500 + | 1,256 € | 6,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-4825
- Nº ref. fabric.:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 660mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 660mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines