MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 192-4825
- Nº ref. fabric.:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4825
- Nº ref. fabric.:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 660mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 660mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja
Protección Zener
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