MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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Código RS:
192-4658
Nº ref. fabric.:
STL26N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

215mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.1 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior

Baja carga de compuerta, capacitancia de entrada y resistencia

Muy alta resistencia dv/dt

Protección Zener

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