MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STW65N040M9-4, VDSS 650 V, ID 58 A, Modo de mejora, PG-TO-247 de 4

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Código RS:
800-466
Nº ref. fabric.:
STW65N040M9-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO-247

Serie

STH285N10F8-6AG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

37mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Disipación de potencia máxima Pd

321W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.1mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Altura

21.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área.

FOM muy bajo (RDS(on)·Qg)

Capacidad dv/dt superior

Excelente rendimiento de conmutación

Fácil de conducir

100 % a prueba de avalancha

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional

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