MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 69 A, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3910
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
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- Código RS:
- 258-3910
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 305W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 305W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon CoolMOS CFD7 de 650 V en encapsulado TO-247 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia de MOSFET CFD2 SJ, se suministra con una carga de puerta reducida, un comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Tensión de ruptura de 650 V
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Dependencia de RDS(on) más baja sobre temperatura
Excelente robustez de conmutación difícil
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite aumentar la densidad de potencia
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