MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R017M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 69 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-924
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 89nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 382W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Anchura | 16mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 89nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 382W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Longitud 23.5mm | ||
Anchura 16mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IMZC120 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1200 V, corriente de drenaje continua de 69 A - IMZC120R017M2HXKSA1
Este MOSFET de mejora de canal N de alta tensión está diseñado para la conmutación de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un rango de temperatura ampliado y es adecuado para el montaje de placas de orificio pasante, lo que ofrece un manejo robusto de alta tensión y una capacidad de corriente continua sustancial para contextos industriales y de conversión de potencia.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 1200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 69 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La RDS(on) de 45 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación máxima de 382 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 89 nC optimiza el rendimiento de conmutación
• El límite VGS de 25 V garantiza la compatibilidad y la protección del accionamiento de la puerta
• La corriente de drenaje continua de 69 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La RDS(on) de 45 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación máxima de 382 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 89 nC optimiza el rendimiento de conmutación
• El límite VGS de 25 V garantiza la compatibilidad y la protección del accionamiento de la puerta
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de inversor y convertidor de alta tensión
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con fuentes de alimentación del lado de red que requieren alta disipación
• Puede utilizarse para la conmutación primaria de fuentes de alimentación de modo conmutado
• Útil en inversores de energía renovable y sistemas de almacenamiento
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con fuentes de alimentación del lado de red que requieren alta disipación
• Puede utilizarse para la conmutación primaria de fuentes de alimentación de modo conmutado
• Útil en inversores de energía renovable y sistemas de almacenamiento
¿Qué encapsulado facilita el montaje y la extracción de calor?
El componente se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4-U07 de cuatro contactos que simplifica el montaje en PCB y permite una fijación fiable a disipadores térmicos para la gestión térmica.
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 200 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación térmica y temperaturas de unión elevadas.
¿Qué consideraciones de accionamiento se aplican al control de puerta?
La carga de puerta típica de 89 nC requiere un controlador de puerta capaz de generar y absorber una corriente suficiente para las velocidades de conmutación previstas, respetando al mismo tiempo el valor nominal máximo de puerta-fuente de 25 V.
¿Hay referencias a estándares de fabricación o prueba reconocidos?
El dispositivo se ajusta a los estándares JEDEC47/20/22 para los enfoques de certificación y prueba relacionados utilizados en la evaluación de componentes.
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