MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R040M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines

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Código RS:
351-930
Nº ref. fabric.:
IMZC120R040M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Disipación de potencia máxima Pd

218W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Estándar de automoción

No

Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Mejor eficiencia energética

Optimización de la refrigeración

Mayor densidad de potencia

Nuevas características de robustez

Gran fiabilidad

Paralelismo fácil

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