MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R022M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 80 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines

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Código RS:
351-925
Nº ref. fabric.:
IMZC120R022M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

IMZC120

Encapsulado

PG-TO-247-4-U07

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

71nC

Disipación de potencia máxima Pd

329W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

5.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Longitud

23.5mm

Anchura

16 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET CoolSiC discreto de 1200 V y 22 mΩ G2 en un encapsulado TO-247 de 4 pines con alta fuga de corriente de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Tiempo de resistencia a cortocircuito 2 μs

Tensión de umbral de puerta de referencia 4,2 V

Robusto contra el encendido parásito

Pérdidas de conmutación muy bajas

Distribución del parámetro VGS(th) más ajustada

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