MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-927
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-927
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 289W | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 16mm | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 289W | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 16mm | ||
Longitud 23.5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IMZC120 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1200 V, corriente de drenaje continua de 49 A - IMZC120R026M2HXKSA1
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para funciones exigentes de conversión de potencia en electrónica industrial. Funciona en un rango térmico ampliado adecuado para entornos hostiles y está diseñado para montaje en orificio pasante, lo que proporciona una opción robusta donde se requiere una alta tensión de bloqueo y una capacidad de corriente continua sustancial.
Características y ventajas:
• Valor nominal de fuente de drenaje de 1200 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 49 A que permite un manejo de carga considerable
• Rds(on) de 69 mΩ para reducir las pérdidas de conducción en corrientes de funcionamiento
• Disipación de potencia máxima de 289 W para una alta tolerancia a la tensión térmica
• Carga de puerta típica de 60 nC para un control de conmutación predecible
• Límite de fuente de puerta de 25 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta comunes
• Corriente de drenaje continua de 49 A que permite un manejo de carga considerable
• Rds(on) de 69 mΩ para reducir las pérdidas de conducción en corrientes de funcionamiento
• Disipación de potencia máxima de 289 W para una alta tolerancia a la tensión térmica
• Carga de puerta típica de 60 nC para un control de conmutación predecible
• Límite de fuente de puerta de 25 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para diseños de inversores industriales y accionamientos de motores
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para electrónica de potencia de tracción y energía renovable
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y chopper
• Se utiliza con dispositivos de disipación térmica de orificio pasante para gestión térmica
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para electrónica de potencia de tracción y energía renovable
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y chopper
• Se utiliza con dispositivos de disipación térmica de orificio pasante para gestión térmica
¿Qué tipo de encapsulado utiliza y cómo afecta al montaje?
Se suministra en un formato de orificio pasante TO-247-4 que facilita una fijación segura del disipador térmico atornillado y un montaje en PCB sencillo para conexiones mecánicas y térmicas robustas.
¿Cómo influye su rango térmico en la colocación en sistemas?
Con un rango de funcionamiento de -55 °C a 200 °C, se puede colocar cerca de componentes que generan calor o utilizar en entornos con amplias fluctuaciones de temperatura ambiente sin reducción inmediata a nivel de sistema.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para el rendimiento de conmutación?
Los circuitos de accionamiento deben respetar el límite de fuente de puerta de 25 V y proporcionar una fuerza de accionamiento suficiente para manejar la carga de puerta de 60 nC para tiempos de transición controlados y pérdidas de conmutación.
¿Cómo deben tener en cuenta los diseñadores la disipación de potencia en el diseño térmico?
La gestión térmica debe tener en cuenta el techo de disipación de 289 W
Se necesitan disipadores térmicos adecuados, materiales de interfaz térmica y diseño de placa para mantener las temperaturas de unión dentro de límites de funcionamiento seguros.
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