MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-927
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
18,64 €
(exc. IVA)
22,55 €
(inc.IVA)
Añade 5 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,64 € |
| 10 - 99 | 16,77 € |
| 100 + | 15,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-927
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 289W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 16 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 289W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 16 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Longitud 23.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC discreto de 1200 V y 26 mΩ G2 en un encapsulado TO-247 de 4 pines con alta fuga de corriente de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Tiempo de resistencia a cortocircuito 2 μs
Tensión de umbral de puerta de referencia 4,2 V
Robusto contra el encendido parásito
Pérdidas de conmutación muy bajas
Distribución del parámetro VGS(th) más ajustada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO-247-4-U02 de 4 pines