MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R053M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 27 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-931
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,67 € |
| 10 - 99 | 8,71 € |
| 100 - 499 | 8,03 € |
| 500 - 999 | 7,45 € |
| 1000 + | 6,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-931
- Nº ref. fabric.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 53mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 182W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 182W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Longitud 23.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Gran fiabilidad
Paralelismo fácil
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