MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA120R030M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 70 A, Mejora, PG-TO-247-4-U02 de 4 pines
- Código RS:
- 349-115
- Nº ref. fabric.:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-115
- Nº ref. fabric.:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U02 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U02 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET CoolSiC SiC de Infineon en encapsulado TO-247-4 se basa en un proceso de semiconductores de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores tradicionales basados en silicio (Si), como los IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Entre ellas, se incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia del dispositivo vistos en interruptores de 1200 V, sin pérdidas por recuperación inversa en el diodo interno a prueba de conmutación, pérdidas de conmutación bajas independientes de la temperatura y una característica de estado de encendido sin umbral.
Las mejores pérdidas de conmutación y conducción de su categoría
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de bajas pérdidas clasificado para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de apagado independientes de la temperatura
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