MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMZH120R030M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 69 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines
- Código RS:
- 349-375
- Nº ref. fabric.:
- AIMZH120R030M1TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-375
- Nº ref. fabric.:
- AIMZH120R030M1TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 326W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 326W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET de SiC de Infineon brinda el mejor rendimiento de conmutación de su categoría, robustez frente a encendidos parásitos, y RDS(on) y Rth(j-c) mejorados. La alta densidad de potencia, la eficacia superior, la capacidad de carga bidireccional y la reducción significativa de los costes del sistema lo convierten en la opción ideal para aplicaciones de cargador interno y de DC a DC.
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