MOSFET, N-Canal Infineon AIMZH120R010M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 202 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines
- Código RS:
- 349-372
- Nº ref. fabric.:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 202A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 750W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 178nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 202A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 750W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 178nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1200 V, corriente de drenaje continua de 202 A - AIMZH120R010M1TXKSA1
Este MOSFET de mejora de canal n es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en sistemas electrónicos exigentes. Está diseñado para aplicaciones que requieren un rendimiento térmico robusto y una capacidad de tensión elevada, al tiempo que admite el montaje pasante convencional en un encapsulado PG-TO-247-4.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 1200 V que permite el funcionamiento de circuitos de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 202 A que admite cargas de corriente pesada
• Rds(on) bajo de 11,3 mΩ que reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 750 W que permite un uso sostenido de alta potencia
• Carga de puerta 178 nC que facilita una dinámica de conmutación controlada
• Rango de funcionamiento de –55 a 175 °C para una resistencia a temperaturas extremas
• Corriente de drenaje continua de 202 A que admite cargas de corriente pesada
• Rds(on) bajo de 11,3 mΩ que reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 750 W que permite un uso sostenido de alta potencia
• Carga de puerta 178 nC que facilita una dinámica de conmutación controlada
• Rango de funcionamiento de –55 a 175 °C para una resistencia a temperaturas extremas
Aplicaciones
• Apto para convertidores de potencia de alta tensión en sistemas industriales
• Ideal para etapas de inversor de tracción que requieren alta corriente
• Se utiliza con electrónica de grado automovilístico conforme a AEC‐Q101
• Se puede utilizar para módulos de inversor de energía renovable
• Apto para fuentes de alimentación en entornos térmicos exigentes
• Ideal para etapas de inversor de tracción que requieren alta corriente
• Se utiliza con electrónica de grado automovilístico conforme a AEC‐Q101
• Se puede utilizar para módulos de inversor de energía renovable
• Apto para fuentes de alimentación en entornos térmicos exigentes
¿Cómo cumple el dispositivo los requisitos de certificación de automoción?
Cumple los reconocidos estándares de prueba de resistencia de automoción para satisfacer las necesidades de fiabilidad en la electrónica de vehículos.
¿Qué método de montaje deben planificar los diseñadores?
El componente utiliza un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4 para una fijación segura de la placa y compatibilidad con disipadores térmicos.
¿Cómo se ve afectado el diseño de accionamiento de puerta por el comportamiento de conmutación?
Los diseñadores deben tener en cuenta una carga de puerta típica de 178 nC al dimensionar los controladores de puerta para lograr las velocidades de conmutación deseadas y minimizar las pérdidas.
¿Qué tipo de polaridad y modo de conducción emplea?
Funciona como un dispositivo de canal N en modo de mejora, conducción cuando se aplica una tensión de fuente de puerta positiva.
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