MOSFET de potencia STripFET F8, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL165N4F8AG, VDSS 40 V, ID 154 A, PowerFLAT de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
330-570
Nº ref. fabric.:
STL165N4F8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia STripFET F8

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

154A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

111W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.4mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja Qg

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