MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL130N6LF7, VDSS 60 V, ID 96 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8
- Código RS:
- 800-463
- Nº ref. fabric.:
- STL130N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 800-463
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- STL130N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 96A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 93W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 96A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 93W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Nivel lógico VGS(th)
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