MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL130N6LF7, VDSS 60 V, ID 96 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8

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Código RS:
800-463
Nº ref. fabric.:
STL130N6LF7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

96A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STH285N10F8-6AG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Longitud

6mm

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

Nivel lógico VGS(th)

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