Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT105R70ILB, VDSS 700 V, ID 21.7 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

2,05 €

(exc. IVA)

2,48 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 04 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 92,05 €
10 - 241,99 €
25 - 991,94 €
100 - 4991,90 €
500 +1,85 €

*precio indicativo

Código RS:
719-633
Nº ref. fabric.:
SGT105R70ILB
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

Transistor

Corriente continua máxima de drenaje ld

21.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

158W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

8.1mm

COO (País de Origen):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 21,7 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

Enlaces relacionados