Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT105R70ILB, VDSS 700 V, ID 21.7 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
719-633
Nº ref. fabric.:
SGT105R70ILB
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

Transistor

Corriente continua máxima de drenaje ld

21.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

G-HEMT

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

158W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-6 to 7 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Anchura

8.1 mm

Longitud

8.1mm

COO (País de Origen):
CN