Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT190R70ILB, VDSS 700 V, ID 11.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
719-635
Nº ref. fabric.:
SGT190R70ILB
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

Transistor

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

8.1mm

COO (País de Origen):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 11,5 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

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