Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT190R70ILB, VDSS 700 V, ID 11.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-635
- Nº ref. fabric.:
- SGT190R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 719-635
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- SGT190R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -6 to 7 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -6 to 7 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 0.9mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN