Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT080R70ILB, VDSS 700 V, ID 29 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-632
- Nº ref. fabric.:
- SGT080R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-632
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- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -6, 7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -6, 7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V y 29 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.
Modo de mejora normalmente apagado transistor
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero
Protección ESD
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