Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT070R70HTO, VDSS 700 V, ID 26 A, Mejora, TO-LL de 13 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

3,82 €

(exc. IVA)

4,62 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +3,82 €

*precio indicativo

Código RS:
719-630
Nº ref. fabric.:
SGT070R70HTO
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

Transistor

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-LL

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

13

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

231W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

10.58mm

COO (País de Origen):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V y 26 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

Enlaces relacionados