MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-657
- Nº ref. fabric.:
- STL270N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 719-657
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 268A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 268A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Nivel lógico VGS(th)
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