MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
719-657
Nº ref. fabric.:
STL270N6LF7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

268A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STL

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

145nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Longitud

6.1mm

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

Nivel lógico VGS(th)

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