MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL320N4F8, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-577
- Nº ref. fabric.:
- STL320N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
2,46 €
(exc. IVA)
2,98 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,46 € |
| 10 - 99 | 2,20 € |
| 100 - 499 | 2,05 € |
| 500 - 999 | 1,88 € |
| 1000 + | 1,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-577
- Nº ref. fabric.:
- STL320N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.85mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.85mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia STripFET F8 VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
