MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL220N4F8, VDSS 40 V, ID 203 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-245
- Nº ref. fabric.:
- STL220N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
1,30 €
(exc. IVA)
1,57 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5850 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,30 € |
| 10 - 99 | 1,18 € |
| 100 - 499 | 1,07 € |
| 500 - 999 | 1,00 € |
| 1000 + | 0,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-245
- Nº ref. fabric.:
- STL220N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 203A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 203A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 40 V diseñado en tecnología Strip FET F8 que presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Garantiza una figura de mérito de vanguardia para una resistencia de estado activado muy baja, al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Grado MSL1
175°C temperatura máxima de funcionamiento de la unión
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia STripFET F8 VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerFLAT de 8 pines
