MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N600K6, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 330-462
- Nº ref. fabric.:
- STF80N600K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,903 € | 95,15 € |
| 500 + | 1,808 € | 90,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-462
- Nº ref. fabric.:
- STF80N600K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | STF | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 23W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 30.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie STF | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 23W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 30.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Carga de puerta ultrabaja
Protección Zener