MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Microchip TC6320TG-G, VDSS 200 V, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 333-204
- Nº ref. fabric.:
- TC6320TG-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 333-204
- Nº ref. fabric.:
- TC6320TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
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Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | TC6320 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie TC6320 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Microchip son MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en encapsulados VDFN y SOIC de 8 terminales. Ambos MOSFET llevan integradas resistencias de puerta a fuente y pinzas de diodo Zener de puerta a fuente, muy adecuadas para aplicaciones de alta tensión. Se trata de un par de MOSFET de canal N y canal P complementarios, de alta velocidad, alta tensión y con cierre de puerta, que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada.
Resistencia de puerta a fuente integrada
Diodo zener de puerta a fuente integrado
Umbral bajo
Resistencia de conexión baja
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Sin averías secundarias
Bajas fugas de entrada y salida
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