MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMHC6070LSD-13, VDSS 60 V, SOIC, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 246-7504
- Nº ref. fabric.:
- DMHC6070LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-7504
- Nº ref. fabric.:
- DMHC6070LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de puente H complementario de nueva generación, que dispone de baja resistencia de conexión que se puede lograr con accionamiento de puerta bajo. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SO-8. Ofrece conmutación rápida y baja capacitancia de entrada. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. 2 canales N y 2 canales P en un encapsulado SOIC Ofrece baja resistencia de conexión
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