MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP0610T-G, VDSS 60 V, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 333-219
- Nº ref. fabric.:
- TP0610T-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
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Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TP0610T | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TP0610T | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Microchip es un transistor de modo de mejora y umbral bajo que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se requiere una tensión umbral muy baja, una tensión de ruptura alta, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Resistencia de conexión baja
Sin averías secundarias
Bajas fugas de entrada y salida
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