MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP5335K1-G, VDSS 350 V, ID -200 mA, MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8932
- Nº ref. fabric.:
- TP5335K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,568 € | 5,68 € |
| 50 - 90 | 0,557 € | 5,57 € |
| 100 - 240 | 0,431 € | 4,31 € |
| 250 - 990 | 0,424 € | 4,24 € |
| 1000 + | 0,415 € | 4,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8932
- Nº ref. fabric.:
- TP5335K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 350V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 350V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de umbral bajo de canal P de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Libre de averías secundarias
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