MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 350 V, ID 135 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5144
- Nº ref. fabric.:
- DN3135K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 165-5144
- Nº ref. fabric.:
- DN3135K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 350V | |
| Serie | DN3135 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -3.5V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 350V | ||
Serie DN3135 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -3.5V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
DN3135 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
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