MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS139H6327XTSA1, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

3,52 €

(exc. IVA)

4,26 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6770 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 900,352 €3,52 €
100 - 2400,335 €3,35 €
250 - 4900,321 €3,21 €
500 - 9900,307 €3,07 €
1000 +0,247 €2,47 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0544
Nº ref. fabric.:
BSS139H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

BSS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-498

El transistor de señal pequeña SIPMOS de Infineon es un transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Tiene calificación dv /dt. Está disponible con indicador VGS(th) en el carrete. Tiene chapado de cable sin plomo y sin halógeno

Chapado sin plomo

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

Enlaces relacionados