MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0543
Nº ref. fabric.:
BSS139H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

BSS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de señal pequeña SIPMOS de Infineon es un transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Tiene calificación dv /dt. Está disponible con indicador VGS(th) en el carrete. Tiene chapado de cable sin plomo y sin halógeno

Chapado sin plomo

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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