MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 911-4971
- Nº ref. fabric.:
- BSS126H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,134 € | 402,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,127 € | 381,00 € |
| 9000 + | 0,119 € | 357,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 911-4971
- Nº ref. fabric.:
- BSS126H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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