MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0551
Nº ref. fabric.:
BSS169H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-500

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Se trata de un transistor de señal pequeña SIPMOS, con valor nominal dv /dt y disponible con indicador V GS(th) en el carrete.

VDS es de 100 V, Rds(on), máx. 12 W e IDSS, mín. 0,09 A

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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