MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 170 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0550
- Nº ref. fabric.:
- BSS169H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0550
- Nº ref. fabric.:
- BSS169H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12000mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12000mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie BSS de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 100 V, corriente de drenaje continua de 0,17 A - BSS169H6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de modo de agotamiento en un encapsulado compacto de montaje en superficie diseñado para el control y la conmutación en conjuntos restringidos. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para entornos eléctricamente exigentes donde se requiere resistencia térmica y control de puerta de baja tensión. El dispositivo cumple la directiva RoHS y cumple una certificación de automoción para su uso en electrónica de vehículos.
Características y ventajas:
• El canal de agotamiento permite el funcionamiento normalmente encendido para circuitos a prueba de fallos
• La amplia tolerancia a la temperatura permite un funcionamiento de –55 a +150 °C
• La corriente continua baja admite un control preciso de corriente baja
• La alta tensión nominal protege contra transitorios de hasta 100 V
• El encapsulado SOT‐23 proporciona un montaje compacto en superficie
• La amplia tolerancia a la temperatura permite un funcionamiento de –55 a +150 °C
• La corriente continua baja admite un control preciso de corriente baja
• La alta tensión nominal protege contra transitorios de hasta 100 V
• El encapsulado SOT‐23 proporciona un montaje compacto en superficie
Aplicaciones
• Ideal para redes de polarización analógica y cambio de nivel
• Apto para conmutación de carga de señal pequeña en módulos de control
• Se utiliza con interfaces de sensor que requieren un comportamiento normalmente encendido
• Puede utilizarse para circuitos auxiliares de automoción conformes con AEC‐Q101
• Apto para subcircuitos de gestión de potencia compactos
• Apto para conmutación de carga de señal pequeña en módulos de control
• Se utiliza con interfaces de sensor que requieren un comportamiento normalmente encendido
• Puede utilizarse para circuitos auxiliares de automoción conformes con AEC‐Q101
• Apto para subcircuitos de gestión de potencia compactos
¿Cuál es la tensión máxima de puerta a fuente que puede aceptar el dispositivo?
Toleran hasta 20 V entre la puerta y la fuente.
¿Cuánta potencia puede disipar durante el funcionamiento?
El dispositivo tiene una disipación de potencia máxima de 81 W.
¿Qué carga de puerta deben presupuestar los diseñadores en Vgs?
La carga de puerta total típica es de 80 nC medida en el accionamiento de puerta especificado.
¿Qué características de resistencia de encendido son relevantes para la planificación térmica?
La resistencia máxima de drenaje a fuente es de 12.000 mΩ en condiciones especificadas.
¿Está este dispositivo preparado para el montaje automatizado de placas de circuito impreso?
Sí, se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT‐23.
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