MOSFET, N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
236-4397
Nº ref. fabric.:
BSS126IXTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIPMOS®

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700Ω

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Anchura

1.4mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie SIPMOS® de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, disipación de potencia máxima de 0,5 W - BSS126IXTSA1


Este MOSFET es un transistor de modo de agotamiento de canal N de señal pequeña diseñado para electrónica de montaje en superficie que requiere conmutación de alta tensión en huellas compactas. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de baja corriente en las que se prefiere un dispositivo de modo de agotamiento para proporcionar un comportamiento normalmente encendido y un control de puerta simplificado.

Características y ventajas:


• La tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua máxima de 21 mA admite circuitos de baja potencia
• La resistencia máxima de drenaje-fuente de 700 Ω limita la conducción en estado activo
• La tensión directa de 1,2 V reduce la caída de tensión en vías accionadas
• La carga de puerta típica de 1,4 nC permite una energía de accionamiento de puerta modesta
• La disipación de potencia máxima de 0,5 W es adecuada para presupuestos térmicos de baja potencia

Aplicaciones


• Apto para redes de polarización de alta tensión en diseños analógicos
• Ideal para circuitos de protección de baja corriente y resistencias de purga
• Se utiliza con controladores de señal pequeña que requieren un comportamiento de modo de agotamiento
• Se puede utilizar para la dirección de corriente en los extremos delanteros del sensor
• Adecuado para subcircuitos de gestión de potencia compactos en convertidores

¿Qué rango de tensión de puerta se puede aplicar de manera segura?


Se admite un potencial de puerta a fuente de hasta 20 V para un funcionamiento normal.

¿Qué rango térmico tolerará el dispositivo durante el uso?


Está diseñado para funcionar entre −55 °C y 150 °C en entornos variados.

¿Cómo está encapsulado el componente para el montaje en PCB?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 adecuado para colocación automatizada.

¿Qué envoltura mecánica debe permitirse en el tamaño de la placa de circuito impreso?


El encapsulado mide aproximadamente 3 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,1 mm de altura para la planificación de patrones de tierra.

¿Cumple el dispositivo la clasificación de grado automovilístico?


No está especificado como componente estándar de automoción y no debe suponerse que cumple estos criterios.

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