MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
236-4397
Nº ref. fabric.:
BSS126IXTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Altura

1.1mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de agotamiento de señal pequeña de canal N de Infineon de 600 V está chapado sin plomo, cumple con RoHS y está libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales. Tiene un nivel de cualificación estándar del sector.

Alta fiabilidad del sistema

Respetuoso con el medioambiente

Ahorro de costes y de espacio en PCB

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