MOSFET, N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 236-4398
- Nº ref. fabric.:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,202 € | 2,02 € |
| 100 - 240 | 0,191 € | 1,91 € |
| 250 - 490 | 0,182 € | 1,82 € |
| 500 - 990 | 0,176 € | 1,76 € |
| 1000 + | 0,142 € | 1,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 236-4398
- Nº ref. fabric.:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie SIPMOS® de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, disipación de potencia máxima de 0,5 W - BSS126IXTSA1
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua máxima de 21 mA admite circuitos de baja potencia
• La resistencia máxima de drenaje-fuente de 700 Ω limita la conducción en estado activo
• La tensión directa de 1,2 V reduce la caída de tensión en vías accionadas
• La carga de puerta típica de 1,4 nC permite una energía de accionamiento de puerta modesta
• La disipación de potencia máxima de 0,5 W es adecuada para presupuestos térmicos de baja potencia
Aplicaciones
• Ideal para circuitos de protección de baja corriente y resistencias de purga
• Se utiliza con controladores de señal pequeña que requieren un comportamiento de modo de agotamiento
• Se puede utilizar para la dirección de corriente en los extremos delanteros del sensor
• Adecuado para subcircuitos de gestión de potencia compactos en convertidores
¿Qué rango de tensión de puerta se puede aplicar de manera segura?
¿Qué rango térmico tolerará el dispositivo durante el uso?
¿Cómo está encapsulado el componente para el montaje en PCB?
¿Qué envoltura mecánica debe permitirse en el tamaño de la placa de circuito impreso?
¿Cumple el dispositivo la clasificación de grado automovilístico?
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