MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 236-4398
- Nº ref. fabric.:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,185 € | 1,85 € |
| 100 - 240 | 0,175 € | 1,75 € |
| 250 - 490 | 0,168 € | 1,68 € |
| 500 - 990 | 0,161 € | 1,61 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 236-4398
- Nº ref. fabric.:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SIPMOS® | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de agotamiento de señal pequeña de canal N de Infineon de 600 V está chapado sin plomo, cumple con RoHS y está libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales. Tiene un nivel de cualificación estándar del sector.
Alta fiabilidad del sistema
Respetuoso con el medioambiente
Ahorro de costes y de espacio en PCB
Filtro dv/dt
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