MOSFET, Tipo N-Canal Microchip LND150K1-G, VDSS 500 V, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
333-174
Nº ref. fabric.:
LND150K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

SOT-23

Serie

LND150

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Reducción

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje de Microchip que utiliza la tecnología DMOS lateral de Supertex. La puerta está protegida contra ESD. Es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente conectados, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampas de tensión y amplificación.

Sin averías secundarias

Requisitos de accionamiento de baja potencia

Facilidad de conexión en paralelo

Excelente estabilidad térmica

Diodo de drenaje de fuente integral

Alta impedancia de entrada y bajo CISS

Protección de puerta ESD

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