MOSFET, Tipo N-Canal Microchip DN3135K1-G, VDSS 350 V, ID 135 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-6450
Nº ref. fabric.:
DN3135K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

135mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

350V

Encapsulado

SOT-23

Serie

DN3135

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-free/RoHS

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

DN3135 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Alta impedancia de entrada

Baja capacitancia de entrada

Velocidades de conmutación rápidas

Baja resistencia

Libre de ruptura secundaria

Baja fuga de salida y entrada

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