MOSFET, Tipo N-Canal Microchip DN3135K1-G, VDSS 350 V, ID 135 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-6450
Nº ref. fabric.:
DN3135K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

135mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

350V

Encapsulado

SOT-23

Serie

DN3135

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-free/RoHS

Anchura

1.4 mm

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

DN3135 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Alta impedancia de entrada

Baja capacitancia de entrada

Velocidades de conmutación rápidas

Baja resistencia

Libre de ruptura secundaria

Baja fuga de salida y entrada

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