MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMDQ75R140M1HXUMA1, VDSS 750 V, ID 38 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 349-046
- Nº ref. fabric.:
- IMDQ75R140M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,215 € | 12,43 € |
| 20 - 198 | 5,59 € | 11,18 € |
| 200 - 998 | 5,16 € | 10,32 € |
| 1000 - 1998 | 4,78 € | 9,56 € |
| 2000 + | 4,29 € | 8,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-046
- Nº ref. fabric.:
- IMDQ75R140M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC G1 de 750 V de Infineon se basa en la tecnología de carburo de silicio sólido de Infineon, desarrollada durante más de 20 años. Al aprovechar las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Este MOSFET está diseñado para soportar altas temperaturas y duras condiciones de funcionamiento, por lo que es ideal para aplicaciones exigentes. Permite la implementación simplificada y rentable de sistemas de alta eficiencia, lo que satisface las necesidades cambiantes de la electrónica de la energía en entornos exigentes.
Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon
Paquete de refrigeración avanzada superior
Pin fuente de controlador disponible
Mayor robustez para soportar tensiones de bus superiores a 500 V
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave
Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta
La mejor disipación térmica de su categoría
Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta
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