MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R027M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-208
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R027M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-208
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R027M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC de 750 V de Infineon está fabricado sobre tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon a lo largo de más de 20 años. Aprovechando las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.
Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon
Pin fuente de controlador disponible
Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave
Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta
La mejor disipación térmica de su categoría
Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta
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