MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R140M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 17 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 348-926
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,715 € | 11,43 € |
| 20 - 198 | 5,15 € | 10,30 € |
| 200 - 998 | 4,75 € | 9,50 € |
| 1000 - 1998 | 4,41 € | 8,82 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 348-926
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 182mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 182mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC de 750 V de Infineon está fabricado sobre tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon a lo largo de más de 20 años. Aprovechando las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.
Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon
Pin fuente de controlador disponible
Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave
Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta
La mejor disipación térmica de su categoría
Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta
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