MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R025M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines

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Código RS:
762-867
Nº ref. fabric.:
AIMBG75R025M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Encapsulado

PG-TO263-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

234W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.2mm

Altura

15mm

Anchura

10.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El dispositivo de alimentación de automoción de alto rendimiento de Infineon está diseñado para ofrecer una fiabilidad y eficiencia inigualables en aplicaciones que requieren una robusta tecnología de 750 V.

La tecnología altamente robusta con pruebas de avalancha al 100 % garantiza una larga vida útil

La resistencia en estado activo mejor de su clase optimiza la eficiencia

Las capacidades de conmutación de frecuencia superiores mejoran el rendimiento del sistema

La exclusiva tecnología de fijación de matriz refuerza la fiabilidad en aplicaciones exigentes

La gestión térmica eficaz reduce las pérdidas por conmutación durante el funcionamiento

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