MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R060M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 762-872
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-872
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 169nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Serie AIMBG75R | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET SiC de alto rendimiento de Infineon está diseñado para mejorar la eficiencia en aplicaciones de automoción al facilitar una conversión y gestión de potencia eficaces.
Ofrece una robusta tecnología de 750 V, lo que garantiza una alta fiabilidad en aplicaciones exigentes
Dispone de una capacidad de disipación térmica superior para mejorar el rendimiento
Admite una mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación dura, lo que minimiza la pérdida de energía
Incluye protección ESD integrada para salvaguardar la integridad del circuito
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