MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R007M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines

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Código RS:
762-866
Nº ref. fabric.:
AIMBG75R007M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

AIMBG75R

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

234W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de automoción, que ofrece capacidades de conmutación eficientes y una fiabilidad robusta en entornos exigentes.

Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 750 V con una gestión térmica excepcional

Dispone de la mejor RDS(on) de su clase para mejorar la eficiencia energética

Garantiza una robustez mejorada para tensiones de bus superiores a 500 V

Permite frecuencias de conmutación más altas en topologías de conmutación suave

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